GAMMA-X系列探測器采用ORTEC生長的鍺晶體設計，該晶體經我們位于田納西州橡樹嶺的制造工廠加工。探測器由N型鍺制成，具有擴散Li的內部接觸面和離子注入硼的外部超薄接觸面。

GAMMA-X探測器在高能量和低能量下異常地表現出的效率。ORTEC提供GMX系列HPGe探測器，相對效率從10％到100％甚至更高。

ORTEC擁有一系列HPGe探測器。其中一些具有“超級規(guī)格”，即保證的能量分辨率優(yōu)于通常的保證規(guī)格。

GAMMA-X探測器的高低能量性能
GAMMA-X探測器的高能量性能由其相對效率、分辨率和其在60Co時的峰康比定義。

該探測器的低能量性能由其在5.9keV的分辨率、其有效表面積和探測器窗口厚度定義。

GAMMA-X探測器的入射接觸面厚度由現成源的兩個峰的面積比來描述。選擇的峰來自109Cd的88-keV伽馬射線和來自相同源的22.16-keV Ag K x射線。保證窗口衰減率為20。

22 keV峰值/88 keV峰面積
該規(guī)格量化了GAMMA-X探測器中入射窗口的薄度。來自109Cd源22keV和88 keV譜線的γ射線的自然比率約為21：1。GAMMA-X探測器通常顯示>20：1的比率。

鈹窗
70毫米（2.75英寸）或76毫米（3英寸）直徑端蓋（10至~35%）的GMX探測器配有直徑為51毫米（2英寸）的Be窗口。83毫米（3.25英寸）直徑端蓋（約30至65％）的GMX探測器配有直徑為64毫米（2.5英寸）的Be窗口。這些窗口為0.020英寸厚并在5.9-keV時具有~95％的透射系數。95毫米（3.75英寸）直徑端蓋（約60至100％）的探測器配有直徑為84毫米（3.3英寸）的Be窗口，該窗口為0.030英寸厚。

高壓禁止和高速率指示
GAMMA-X探測器具有高壓禁止和高速率指示保護功能。如果LN2耗盡且探測器在施加高壓偏壓時開始回溫（使用659型偏壓電源時），則高壓會自動關閉，以保護FET免受損壞。這通過溫度傳感器（位于探測器后面的底座上）實現，該溫度傳感器用于在分子篩脫氣并產生危險的高壓電弧之前關閉高壓。使用回溫探測器的高泄漏電流來關閉高壓可能導致FET和探測器損壞。

抗中子損傷
在GAMMA-X探測器中，收集電子是主要的過程。快中子將產生空穴俘獲中心；也就是說，帶負電的缺陷會捕獲空穴而不是電子。

因此，與空穴俘獲為主要過程的同軸Ge設備相比，空穴俘獲為次要過程的GAMMA-X探測器對輻射損傷基本上不敏感。這些理論上的猜測已經通過實驗得到證實。

應該注意的是，一旦發(fā)生嚴重的輻射損傷，“最長里程”可以通過避免將探測器循環(huán)到室溫來獲得。對于p型或n型Ge探測器也是如此。然而，對于輕微損傷的GAMMA-X探測器（~0.1 keV衰減），回溫循環(huán)甚至長時間室溫保存都不會產生不利影響。

GAMMA-X探測器應盡可能保持在接近77 K的溫度，以盡量減少輻射損傷的程度。因此，為了這個目的，Streamline低溫恒溫器少了一個熱連接，是比PopTop更好的選擇。

客戶中子損傷可修復探測器
修復中子損傷的GAMMA-X探測器可以在我們的任何維修機構進行，也可以由您自己在實驗室進行。如需獲取更多有關我們客戶中子損傷可修復GAMMA-X探測器的信息，請聯系我們。

集成低溫冷卻系統(tǒng)選件（-ICS-E）
集成低溫冷卻系統(tǒng)（ICS）低溫恒溫器配備有低溫冷卻器，不受回溫循環(huán)的影響。與使用標準型低溫恒溫器探測器的典型三天損失不同，ICS可以立即重新冷卻，限度地減少因臨時回溫而損失的任何時間。

SMART-1選件 (-SMN)
SMART-1選件用于監(jiān)控和報告重要的系統(tǒng)功能，還可保存驗證碼并在稍后報告該驗證碼。它包括高壓，因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅固的ABS模塑塑料外殼，并通過模塑密封電纜牢牢地固定在探測器端蓋上。這可避免探測器因水分泄漏到高壓連接器中而受到嚴重損壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置，不會干擾屏蔽罩或其他安裝硬件。

超高計數率前置放大器選件（-PL）
超高計數率前置放大器（晶體管復位前置放大器）可在1 MeV下處理高達1,000,000個計數/秒的輸入計數率，并具有無反饋電阻的額外優(yōu)勢。

惡劣環(huán)境選件（-HE）
惡劣環(huán)境選件是一個堅固的碳纖維端蓋，配有密封的電子設備外殼，并帶有可更換的干燥劑包，用以確保電子設備保持100％干燥并指示何時需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設計中的GMX系列探測器可配備此選件。

遠程前置放大器選件（-HJ）
此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外，并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移開。對于低本底應用，此選件消除了可能增加屏蔽罩內部本底的任何可能性，來源于前置放大器或高壓濾波器組件。

低本底碳纖維端蓋選件（-RB、-LB-C和-XLB-C）
低本底碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅固，產生的本底少，不腐蝕，并且可以檢測低于10 keV的能量。這種較低的本底材料可在特定計數時間內降低最小可探測活度（MDA），這為在低本底計數應用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的低Z值可提供低能量窗口，而不會產生在大多數合金中發(fā)現的額外本底。

鋁窗選件（-A）
如果感興趣的能量超過20 keV，則可以選擇全鋁端蓋。

碳纖維窗選件（-CW）
碳纖維窗口可用于大于約8 keV的能量。雖然這個窗口不能通過所有較低的能量，但碳纖維的Z比Al低，并且不存在任何與Be相關的危險。